据中科院7月7日官网报道称，近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张子旸与国家纳米中心研究员刘前合作，在Nano Letters上发表了题为5 nm Nanogap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography的研究论文，报道了一种新型5nm超高精度激光光刻加工方法。

基于光热反应机理，研究团队设计开发了一种新型三层堆叠薄膜结构。在无机钛膜光刻胶上，采用双激光束（波长为405nm）交叠技术，通过精确控制能量密度及步长，实现了1/55衍射极限的突破（NA=0.9），达到了最小5nm的特征线宽。研究团队利用这种超分辨的激光直写技术，实现了纳米狭缝电极阵列结构的大规模制备。

此外，该研究使用了研究团队开发的具有完全知识产权的激光直写设备，利用激光与物质的非线性相互作用来提高加工分辨率，有别于传统的缩短激光波长或增大数值孔径的技术路径，打破了传统激光直写技术中受体材料为有机光刻胶的限制，可使用多种受体材料，扩展了激光直写的应用场景。

研究团队针对激光微纳加工中所面临的实际问题出发，解决了高效和高精度之间的固有矛盾，开发的新型微纳加工技术在集成电路、光子芯片、微机电系统等众多微纳加工领域展现了广阔的应用前景。

                                                                         ---- 摘自腾讯网